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在当今科技日新月异的时代，光刻机作为芯片制造的核心设备，其技术发展历经了漫长而曲折的历程。euv
光刻机更是其中的巅峰之作，代表着人类在微观制造领域的极高成就。
回顾光刻机的发展历史，20
世纪
60
年代，接触式光刻技术出现，它是小规模集成电路时期的主要光刻技术，掩膜版与晶圆表面的光刻胶直接接触，分辨率可达亚微米级，但晶圆与掩膜版易产生划痕和颗粒沾污。70
年代，接近式光刻技术得到广泛应用，掩膜版与光刻胶之间有氮气填充的间隙，一定程度上减少了损伤，但受衍射效应限制，分辨率极限约为
2μm。
随着集成电路尺寸的不断缩小，投影光刻技术应运而生。其基于远场傅里叶光学成像原理，采用具有缩小倍率的投影成像物镜，有效提高了分辨率。此后，光刻技术不断演进，从干式光刻发展到浸润式光刻，进一步提高了光刻水平。
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光刻技术采用锡的电浆来产生波长为
13.5
纳米的光源，以及用钼硅多层反射薄膜来把光传递到芯片上，得在低真空中运作，技术难度更高。euv
光刻技术的研发可以追溯到二十多年前，当时众多科研团队投入其中，但在很长一段时间内都未能达到量产的技术要求。
例如，在光源功率方面就曾面临巨大挑战。早期的
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光刻机光源非常弱，最佳状态时只能输出
10
瓦的功率，仅是现在量产机台的二十五分之一，而且可靠性低，经常故障。然而，科研人员并没有放弃，通过不断实验和改进，逐渐提升了光源的输出功率和稳定性。
再看光学系统，euv
光刻机的镜头需要采用高精度的非球面镜，其面型误差必须小于
0.25
纳米，加工这种镜子需要超精密的数控机床和检测设备，这对制造工艺提出了极高的要求。
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光刻机的多层膜技术也至关重要，要在大面积上获得高于
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